8月16日消息，從國家知識產(chǎn)權(quán)局獲悉，華為技術(shù)有限公司日前公開了一項名為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝”專利，申請公布號為CN116601748A。
據(jù)了解，該專利實施例提供了一種倒裝芯片封裝、一種裝備有應用封裝結(jié)構(gòu)的電路的裝置以及一種組裝封裝的方法，更直觀來說，就是一種提供芯片與散熱器之間的接觸方式，能幫助改善散熱性能。
該專利可應用于CPU、GPU、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)、ASIC(專用集成電路)等芯片類型，設備可以是智能手機、平板電腦、可穿戴移動設備、PC、工作站、服務器等。
專利提到，近來，半導體封裝在處理性能方面的進步對熱性能提出了更高的要求，以確保穩(wěn)定操作。
就此而言，倒裝芯片封裝在熱性能方面具有優(yōu)勢，因其結(jié)構(gòu)特征是芯片通過其下方凸塊與基板連接，能夠?qū)⑸崞鞫ㄎ辉谛酒捻敱砻嫔稀?br />
為提高冷卻性能，會將熱潤滑脂等熱界面材料(TIM)涂抹到芯片的頂表面，并夾在芯片和散熱器的至少一部分之間。從降低TIM中的熱阻以改善封裝的熱性能的角度來看，優(yōu)選使TIM的厚度更小。
據(jù)了解，相較此前難以精細控制TIM厚度的散熱方案，華為這項專利中的熱界面材料的厚度由模制構(gòu)件中的壁狀結(jié)構(gòu)的高度限定。
由于能在模制過程中輕松控制由模具化合物組成的壁狀結(jié)構(gòu)的高度，因此可以將熱界面材料的厚度調(diào)節(jié)到所需的小厚度，從而實現(xiàn)改進的熱性能。
華為“具有改進的熱性能的倒裝芯片封裝專利”摘要如下：
提供了一種倒裝芯片封裝(200)，其中，所述倒裝芯片封裝包括：至少一個芯片(202)，用于與基板(201)連接；形成在所述基板(201)上的模制構(gòu)件(209)，以包裹所述至少一個芯片(202)的側(cè)部分并使每個芯片(202)的頂表面裸露，其中，所述模制構(gòu)件(209)的上表面具有與每個芯片(202)的頂表面連續(xù)的第一區(qū)域、涂抹粘合劑(210)的第二區(qū)域以及放置成包圍每個芯片(202)的頂表面的壁狀結(jié)構(gòu)(209a)，并且第一區(qū)域和第二區(qū)域由壁狀結(jié)構(gòu)(209a)分隔；散熱器(206)，放置在每個芯片(202)的頂表面上方，并通過填充在第二區(qū)域中的粘合劑(210)粘合到模制構(gòu)件(209)；熱界面材料(205)，所述熱界面材料(205)填充在由所述第一區(qū)域、所述每個芯片(202)的頂表面、所述散熱器(206)的底表面的至少一部分和所述壁狀結(jié)構(gòu)(209a)的第一側(cè)形成的空間區(qū)域中。
根據(jù)華為發(fā)明的實施例的倒裝芯片封裝示意性橫截面視圖
傳統(tǒng)倒裝芯片封裝示例
原標題：華為公布倒裝芯片封裝最新專利：改善散熱CPU、GPU等都能用
版權(quán)與免責聲明：1.凡本網(wǎng)注明“來源：化工機械設備網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-興旺寶合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工機械設備網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。 2.本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源（非化工機械設備網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權(quán)等法律責任。 3.如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)新聞
-
近日，2025迷你電源芯片研討會在南方科技大學舉行,活動旨在通過多角度的分享與交流，促進領域內(nèi)的學術(shù)交流與技術(shù)創(chuàng)新，為行業(yè)發(fā)展提供新思路、新方法和新啟發(fā).- 2023-08-17 10:20:23
- 17989
-
上海交大王國興教授課題組在寬帶高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換器芯片設計領域取得重要進展
上海交通大學研究團隊將時鐘交織技術(shù)(TI)應用到寬帶CT-DSM架構(gòu)中，并基于模擬外插預測架構(gòu)，采用了積分器級聯(lián)前饋式環(huán)路濾波器，在噪聲傳遞函數(shù)中實現(xiàn)了零點優(yōu)化。- 2023-08-17 10:20:23
- 15802
-
上海微系統(tǒng)所狄增峰研究員團隊“人造藍寶石晶體介質(zhì)助力低功耗芯片發(fā)展”研究成果入選“中國芯片科學十大進展”
上海微系統(tǒng)所狄增峰、田子傲團隊開發(fā)的面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓研究成果入選“Chip 2024中國芯片科學十大進展”。- 2023-08-17 10:20:23
- 15385
昵稱 驗證碼 請輸入正確驗證碼
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)